本發(fā)明涉及存儲器，特別是涉及一種多次可編程非易失性存儲器，還涉及一種多次可編程非易失性存儲器的擦除電路，及一種多次可編程非易失性存儲器的擦除方法。

背景技術(shù)：

1、mtp(multi-times?program)全稱多次可編程非易失性存儲器，其編程次數(shù)介于otp(one-time?program)存儲器和e-flash(嵌入式閃存)之間，可實現(xiàn)多達萬次的擦寫次數(shù)，成本亦介于otp和e-flash之間。因此mtp在數(shù)字電源、快速充電器、無線充電器以及mcu(microcontroller?unit，微控制單元)等市場有著廣泛的應用。

2、示例性的mtp擦寫次數(shù)上限約為一萬次，但對于一些特定的應用場合，我們希望mtp能夠具有更高的擦寫次數(shù)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、基于此，有必要提供一種提升mtp的擦寫次數(shù)的多次可編程非易失性存儲器的擦除電路。

2、一種多次可編程非易失性存儲器的擦除電路，包括擦除調(diào)節(jié)模塊，所述擦除調(diào)節(jié)模塊用于記錄多次可編程非易失性存儲器的擦寫次數(shù)，并根據(jù)所述擦寫次數(shù)調(diào)節(jié)擦除操作的擦除電壓和擦除時間，所述擦除電壓和/或擦除時間隨所述擦寫次數(shù)的增加而增加；其中，所述擦寫次數(shù)為擦除次數(shù)和/或編程次數(shù)，所述擦除電壓為存儲單元的公共端與所述存儲單元的控制柵端之間的電壓差的絕對值。

3、上述多次可編程非易失性存儲器的擦除電路，在擦寫次數(shù)較少時采用較小的擦除電壓和/或擦除時間，能夠減小擦除操作對存儲單元的損傷，從而提升mtp的擦寫次數(shù)；在擦寫次數(shù)逐漸增多后將擦除電壓和/或擦除時間也相應提升，以保證擦除的穩(wěn)定性。

4、在其中一個實施例中，所述擦除調(diào)節(jié)模塊包括：計數(shù)器，用于記錄所述擦寫次數(shù)；電壓調(diào)節(jié)信號生成電路，與所述計數(shù)器連接，用于根據(jù)所述擦寫次數(shù)輸出第一電壓調(diào)節(jié)信號和第二電壓調(diào)節(jié)信號；所述擦除電路還包括：第一電壓轉(zhuǎn)換單元，與所述電壓調(diào)節(jié)信號生成電路連接，用于根據(jù)所述第一電壓調(diào)節(jié)信號將來自第一電源的電壓調(diào)節(jié)至第一電壓值后輸出給所述存儲單元的公共端；第二電壓轉(zhuǎn)換單元，與所述電壓調(diào)節(jié)信號生成電路連接，用于根據(jù)所述第二電壓調(diào)節(jié)信號將來自所述第一電源的電壓調(diào)節(jié)至第二電壓值后輸出給所述存儲單元的控制柵端；其中，所述第一電壓值和第二電壓值的差的絕對值等于所述擦除電壓。

5、在其中一個實施例中，所述第一電壓轉(zhuǎn)換單元和第二電壓轉(zhuǎn)換單元均包括修整電阻。

6、在其中一個實施例中，所述計數(shù)器為二進制計數(shù)器，所述電壓調(diào)節(jié)信號生成電路包括：i個比較器，所述計數(shù)器將其最高的i位分別輸出給所述i個比較器，每個比較器兩個輸入端中的一個接收一位、另一個接收基準電壓；第一邏輯電路，與所述i個比較器的輸出端均連接，所述第一邏輯電路用于根據(jù)所述i個比較器的輸出生成所述第一電壓調(diào)節(jié)信號和第二電壓調(diào)節(jié)信號。

7、在其中一個實施例中，i＝4，所述計數(shù)器為13位的計數(shù)器。

8、在其中一個實施例中，所述擦寫次數(shù)小于1024次時，所述擦除電壓為9v，所述擦除時間為10微秒；所述擦寫次數(shù)為1024次至2047次時，所述擦除電壓為10v，所述擦除時間為30微秒；所述擦寫次數(shù)為2048次至4095次時，所述擦除電壓為11v，所述擦除時間為100微秒；所述擦寫次數(shù)為4096次至8191次時，所述擦除電壓為12v，所述擦除時間為1毫秒；所述擦寫次數(shù)大于8192次時，所述擦除電壓為12v，所述擦除時間為10毫秒。

9、還有必要提供一種多次可編程非易失性存儲器。

10、一種多次可編程非易失性存儲器，包括：存儲器陣列，包括多個存儲單元；擦除調(diào)節(jié)模塊，與所述存儲器陣列連接，所述擦除調(diào)節(jié)模塊用于記錄所述多次可編程非易失性存儲器的擦寫次數(shù)，并根據(jù)所述擦寫次數(shù)調(diào)節(jié)擦除操作的擦除電壓和擦除時間，所述擦除電壓和/或擦除時間隨所述擦寫次數(shù)的增加而增加；第一電源，與所述擦除調(diào)節(jié)模塊和存儲器陣列連接，用于在所述擦除調(diào)節(jié)模塊的控制下為所述存儲器陣列提供所述擦除電壓；其中，所述擦寫次數(shù)為擦除次數(shù)和/或編程次數(shù)，所述擦除電壓為所述存儲器陣列中的第一存儲單元的公共端與所述第一存儲單元的控制柵端之間的電壓差的絕對值。

11、上述多次可編程非易失性存儲器，在擦寫次數(shù)較少時采用較小的擦除電壓和/或擦除時間，能夠減小擦除操作對存儲單元的損傷，從而提升mtp的擦寫次數(shù)；在擦寫次數(shù)逐漸增多后將擦除電壓和/或擦除時間也相應提升，以保證擦除的穩(wěn)定性。

12、在其中一個實施例中，所述存儲器陣列還包括信息區(qū)，所述擦除調(diào)節(jié)模塊還用于將所述擦寫次數(shù)存儲進所述信息區(qū)中。

13、在其中一個實施例中，所述擦除調(diào)節(jié)模塊還用于在掉電時從所述信息區(qū)中讀取所述擦寫次數(shù)。

14、在其中一個實施例中，所述擦除調(diào)節(jié)模塊包括：計數(shù)器，用于記錄所述擦寫次數(shù)；電壓調(diào)節(jié)信號生成電路，與所述計數(shù)器連接，用于根據(jù)所述擦寫次數(shù)輸出第一電壓調(diào)節(jié)信號和第二電壓調(diào)節(jié)信號；所述擦除電路還包括：第一電壓轉(zhuǎn)換單元，與所述電壓調(diào)節(jié)信號生成電路連接，用于根據(jù)所述第一電壓調(diào)節(jié)信號將來自第一電源的電壓調(diào)節(jié)至第一電壓值后輸出給所述存儲單元的公共端；第二電壓轉(zhuǎn)換單元，與所述電壓調(diào)節(jié)信號生成電路連接，用于根據(jù)所述第二電壓調(diào)節(jié)信號將來自所述第一電源的電壓調(diào)節(jié)至第二電壓值后輸出給所述存儲單元的控制柵端；其中，所述第一電壓值和第二電壓值的差的絕對值等于所述擦除電壓。

15、在其中一個實施例中，所述第一電壓轉(zhuǎn)換單元和第二電壓轉(zhuǎn)換單元均包括修整電阻。

16、在其中一個實施例中，所述計數(shù)器為二進制計數(shù)器，所述電壓調(diào)節(jié)信號生成電路包括：i個比較器，所述計數(shù)器將其最高的i位分別輸出給所述i個比較器，每個比較器兩個輸入端中的一個接收一位、另一個接收基準電壓；第一邏輯電路，與所述i個比較器的輸出端均連接，所述第一邏輯電路用于根據(jù)所述i個比較器的輸出生成所述第一電壓調(diào)節(jié)信號和第二電壓調(diào)節(jié)信號。

17、在其中一個實施例中，i＝4，所述計數(shù)器為13位的計數(shù)器。

18、在其中一個實施例中，所述擦寫次數(shù)小于1024次時，所述擦除電壓為9v，所述擦除時間為10微秒；所述擦寫次數(shù)為1024次至2047次時，所述擦除電壓為10v，所述擦除時間為30微秒；所述擦寫次數(shù)為2048次至4095次時，所述擦除電壓為11v，所述擦除時間為100微秒；所述擦寫次數(shù)為4096次至8191次時，所述擦除電壓為12v，所述擦除時間為1毫秒；所述擦寫次數(shù)大于8192次時，所述擦除電壓為12v，所述擦除時間為10毫秒。

19、還有必要提供一種多次可編程非易失性存儲器的擦除方法。

20、一種多次可編程非易失性存儲器的擦除方法，包括：記錄多次可編程非易失性存儲器的擦寫次數(shù)；根據(jù)所述擦寫次數(shù)調(diào)節(jié)擦除電壓和擦除時間；隨著擦寫次數(shù)的增加，所述擦除電壓和/或擦除時間相應增加；按照所述擦除電壓和擦除時間對存儲單元進行擦除操作；其中，所述擦寫次數(shù)為擦除次數(shù)和/或編程次數(shù)，所述擦除電壓為所述存儲單元的公共端與所述存儲單元的控制柵端之間的電壓差的絕對值。

21、上述多次可編程非易失性存儲器的擦除方法，在擦寫次數(shù)較少時采用較小的擦除電壓和/或擦除時間，能夠減小擦除操作對存儲單元的損傷，從而提升mtp的擦寫次數(shù)；在擦寫次數(shù)逐漸增多后將擦除電壓和/或擦除時間也相應提升，以保證擦除的穩(wěn)定性。

22、在其中一個實施例中，還包括將所述擦寫次數(shù)存儲至所述多次可編程非易失性存儲器的存儲器陣列中的信息區(qū)中的步驟。

23、在其中一個實施例中，所述擦寫次數(shù)小于1024次時，所述擦除電壓為9v，所述擦除時間為10微秒；所述擦寫次數(shù)為1024次至2047次時，所述擦除電壓為10v，所述擦除時間為30微秒；所述擦寫次數(shù)為2048次至4095次時，所述擦除電壓為11v，所述擦除時間為100微秒；所述擦寫次數(shù)為4096次至8191次時，所述擦除電壓為12v，所述擦除時間為1毫秒；所述擦寫次數(shù)大于8192次時，所述擦除電壓為12v，所述擦除時間為10毫秒。